本实用新型涉及开关电源过压保护技术领域，具体涉及一种基于l4970a保护电路。
背景技术：
随着经济的发展，开关电源现在已成为稳压电源的主流产品。且在家庭、军事、航空以及车辆等领域广泛应用。开关电源通过高频的变压器实现了电压的变化，并且具有体积小，质量轻。效率高等特点。
目前，开关电源过流、过压以及短路保护较为成熟，但是现有的开关电源过压保护采用传统意义上的过压短路保护方案，即使用mos驱动芯片芯片的电压检测端，实现过压保护，具有稳定性较差，电磁兼容性较差等缺点。
技术实现要素：
为了克服上述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种基于l4970a过压保护电路，具有双重电压保护以及抗干扰性强、可靠性好等优点。
为了克服上述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种反激式开关电源输出过压保护电路，抗干扰能力强，电磁兼容较好，成本低，可靠性好。
为了达到上述目的，本实用新型采取的技术方案为：
一种l4970a开关电源过压保护电路，包括光电耦合器u2，光电耦合器u2的引脚4连接mos驱动芯片u1的7脚；光电耦合器u2的引脚3连接地gnd；光电耦合器u2的引脚1连接电阻r1、电阻r2的一端；电阻r1的另一端连接电阻r3一端与输出端的正极out1；电阻r2的另一端连接电阻r4、光电耦合器u2的2引脚以及芯片d1的阴极一端；电阻r4的另一端连接电容c1的一端；电容c1的另一端连接电阻r3的一端、电阻r5的一端以及芯片d1的基准极；电阻r5的另一端连接芯片d1的阳极、输出端负极out2以及光电耦合器u3的2引脚；光电耦合器u3的1引脚连接电阻r6一端，电阻r6另一端连接输出端的正极out1；光电耦合器u3的3引脚连接mos驱动芯片u1的11引脚；光电耦合器u3的4引脚连接电源vcc以及电容c2的一端，电容c2的另一端接地。
所述的光电耦合器u2、u3采用p721f。
所述的mos驱动芯片u1采用l4970a。
所述的芯片d1为基准芯片采用tl431，基准电压为1.24v。
所述的电阻r1=r2=4.7kω,r4=2.4kω，r3=2.1kω，r5=1.7kω,r6=100ω；电容c1=1μf，c2=0.01μf。
本实用新型的效果：
本实用新型不仅实现了传统意义上的电源过压输出保护，而且过压保护采用双重保护即反馈保护与过压保护相结合，从而提高了保护的准确性及稳定性，提高开关电源模块的效率；同时设计电路反馈及过压时均采用了隔离，使得电源抗干扰能力增强。
附图说明
图1是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本实用新型作进一步说明。
参照图1，所示一种l4970a开关电源过压保护电路，包括光电耦合器u2，光电耦合器u2的引脚4连接mos驱动芯片u1的7脚；光电耦合器u2的引脚3连接地gnd；光电耦合器u2的引脚1连接电阻r1、电阻r2的一端；电阻r1的另一端连接电阻r3一端与输出端的正极out1；电阻r2的另一端连接电阻r4、光电耦合器u2的2引脚以及芯片d1的阴极一端；电阻r4的另一端连接电容c1的一端；电容c1的另一端连接电阻r3的一端、电阻r5的一端以及芯片d1的基准极；电阻r5的另一端连接芯片d1的阳极、输出端负极out2以及光电耦合器u3的2引脚；光电耦合器u3的1引脚连接电阻r6一端，电阻r6另一端连接输出端的正极out1；光电耦合器u3的3引脚连接mos驱动芯片u1的11引脚；光电耦合器u3的4引脚连接电源vcc以及电容c2的一端，电容c2的另一端接地。
所述的光电耦合器u2、u3采用p721f。
所述的mos驱动芯片u1采用l4970a。
所述的芯片d1为基准芯片采用tl431，基准电压为1.24v。
所述的电阻r1=r2=4.7kω,r4=2.4kω，r3=2.1kω，r5=1.7kω,r6=100ω；电容c1=1μf，c2=0.01μf。
工作原理：
对于过压保护一般直接采用芯片的过压保护端即可，本专利不仅采用了过压保护端，而且采用了反馈保护即采用两种保护相结合。若输出电压超过12v时，mos管驱动芯片u1的12引脚电压等于0，芯片进入过压保护状态；反馈保护中光耦u2输出端的并联电阻r2,将基础芯片d1的电压控制在1.24v即将光耦u2的输入电压钳位在1.24v，是电源反馈输出端电压为0，起到保护作用。电阻r3以及电阻r5位采用电阻，本专利增加了电容c1，增强了电路的电磁兼容性。若输出负电压，同样光耦u3没有电压信号，此时mos管驱动芯片u1的12引脚电压等于0，电源处于保护过电压以及反馈保护状态。
利用本实用新型所述的技术方案，或本领域的技术人员在本实用新型技术方案的启发下，设计出类似的技术方案，而达到上述技术效果的，均是落入本实用新型的保护范围。
1.一种l4970a开关电源过压保护电路，包括光电耦合器u2，其特征在于，光电耦合器u2的引脚4连接mos驱动芯片u1的7脚；光电耦合器u2的引脚3连接地gnd；光电耦合器u2的引脚1连接电阻r1、电阻r2的一端；电阻r1的另一端连接电阻r3一端与输出端的正极out1；电阻r2的另一端连接电阻r4、光电耦合器u2的2引脚以及芯片d1的阴极一端；电阻r4的另一端连接电容c1的一端；电容c1的另一端连接电阻r3的一端、电阻r5的一端以及芯片d1的基准极；电阻r5的另一端连接芯片d1的阳极、输出端负极out2以及光电耦合器u3的2引脚；光电耦合器u3的1引脚连接电阻r6一端，电阻r6另一端连接输出端的正极out1；光电耦合器u3的3引脚连接mos驱动芯片u1的11引脚；光电耦合器u3的4引脚连接电源vcc以及电容c2的一端，电容c2的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的l4970a开关电源过压保护电路，其特征在于，所述的光电耦合器u2、u3采用p721f。
3.根据权利要求1所述的l4970a开关电源过压保护电路，其特征在于，所述的mos驱动芯片u1采用l4970a。
4.根据权利要求1所述的l4970a开关电源过压保护电路，其特征在于，所述的芯片d1为基准芯片采用tl431。
技术总结