本实用新型属于开关保护电路领域，尤其涉及一种mos开启电路。
背景技术：
目前的设备中，直接采用单片机对mos进行控制，从而使mos控制设备的输入和输出之间的导通。但当单片机中软件运行出现bug时，单片机的信号输出持续高电平，从而使mos处于持续导通状态，从而使设备的输入与输出持续导通，设备中的运行部件持续处于开启状态，发热并不断升温，甚至有烧坏的风险。
技术实现要素：
本实用新型针对现有单片机直接控制mos的开关电路存在mos持续导通造成发热或者烧坏的问题，提出一种mos开启电路。
为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为：
一种mos开启电路，包括电容、二极管和mos管；
所述电容包括第一电容和第二电容；
所述第一电容一端与单片机的io端口相连，另一端连接二极管的正极；
所述第二电容一端连接二极管的负极，另一端接地；
所述mos管包括第一mos管和第二mos管；
所述第一mos管的源极和漏极分别连接电源输入端和电源输出端，所述第一mos管的栅极连接所述第二mos管的漏极；
所述第二mos管的栅极与二极管的负极相连，所述第二mos管的源极接地。
作为优选，所述第一mos管为pmos。
与现有技术相比，本实用新型的优点和积极效果在于：
1、mos开启电路在单片机正常工作时能够电容的充放电，保持mos管的导通，保证电源输入与输出之间的连接，使设备正常供电工作。并且能够在单片机中软件运行出现bug而持续输出高电平时，使第一电容充电结束行程开路，进而使第二电容结束放电将第二mos管关断，最终使第一mos管关断，切断电源输入与输出之间的连接，停止设备的供电运行，避免设备长时间通电运行而造成的过热或者烧坏的问题。
2、控制电源输入与输出之间的连接的第一mos管采用pmos，阈值电压的绝对值较高，能够满足较高工作电压的要求。
附图说明
图1为本实用新型mos开启电路的电路图；
以上各图中：c50、第一电容；c56、第二电容；d5、二极管；q1、第一mos管；q10、第二mos管。
具体实施方式
下面，通过示例性的实施方式对本实用新型进行具体描述。然而应当理解，在没有进一步叙述的情况下，一个实施方式中的元件、结构和特征也可以有益地结合到其他实施方式中。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”、“上”、“下”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
如图1所示，本实用新型提供一种mos开启电路，包括电容、二极管和mos管。
电容包括第一电容c50和第二电容c56。
第一电容c50一端与单片机的io端口相连，另一端连接二极管d5的正极。
第二电容c56一端连接d5的负极，另一端接地。
mos管包括第一mos管q1和第二mos管q10。
第一mos管q1的源极和漏极分别连接电源输入端和电源输出端，第一mos管q1的栅极连接第二mos管q10的漏极。
第二mos管q10的栅极与二极管d5的负极相连，第二mos管q10的源极接地。
当单片机正常工作时，单片机的io端口向第一电容c50发送脉冲信号。由于电容瞬时电流i＝c×du/dt，脉冲信号使du/dt持续处于变化状态，从而使第一电容c50输出变化的正向电流。
第一电容c50输出的电流通过二极管d5整流后，使第二电容c56获得电流充电，并持续放电，维持第二mos管q10的导通，使第二mos管q10向第一mos管q1的栅极持续输送高电平，第一mos管q1的栅极和源极之间产生较大的电压差，从而使第一mos管q1打开，电源输入端和电源输出端之间导通，设备通电运行。
当单片机工作异常时，单片机的io端口向第一电容c50持续发送高电平，第一电容c50充电结束后，不会放电，从而使第一电容c50所处线路相当于开路状态。第二电容c56放电后，无法得到第一电容c50输出的电流而充电，从而使第二电容c56停止向第二mos管q10放电，第二mos管q10无法导通，第一mos管q1的栅极失去第二mos管q10输送的高电平，第一mos管q1关断，电源输入端和电源输出端之间断开，停止设备的通电，避免设备长时间运行，造成过热或者烧坏。
当第二mos管q10输送较低的电平，仍然有可能使第一mos管q1的栅极和源极之间电压差达到阈值，将第一mos管q1打开，造成第一mos管q1打开的灵敏性过高，电源输入端和电源输出端之间长时间接通，设备长时间通电而过热。
为了避免上述问题，控制电源输入与输出之间的连接的第一mos管采用pmos，阈值电压的绝对值较高，使第二mos管q10输送的电平较高时，才能打开第一mos管。
1.一种mos开启电路，其特征在于，包括电容、二极管和mos管；
所述电容包括第一电容和第二电容；
所述第一电容一端与单片机的io端口相连，另一端连接二极管的正极；
所述第二电容一端连接二极管的负极，另一端接地；
所述mos管包括第一mos管和第二mos管；
所述第一mos管的源极和漏极分别连接电源输入端和电源输出端，所述第一mos管的栅极连接所述第二mos管的漏极；
所述第二mos管的栅极与二极管的负极相连，所述第二mos管的源极接地。
2.根据权利要求1所述的mos开启电路，其特征在于，所述第一mos管为pmos。
技术总结