本实用新型涉及强氧化剂生产装置的技术领域，尤其涉及一种强氧化剂接触池。
背景技术：
强氧化剂在制作过程中需要通过将多种材料混合进行反应，其中一项需要将气体和液体混合，将水放入接触池，再将等离子气体通入接触池中与水反应，产生能发生强氧化反应的活性化学基团。现有的接触池缺点在于：气体上浮速度慢，气泡较大，造成气体与液体的接触少，还未反应完全的气体已浮出水面，造成资源浪费。
如授权公共号为cn205965726u的中国专利公开了一种强氧化剂接触池，包括池体和通入池体底部的通气管，所述通气管的进气管延伸到池体外侧，与位于池体一侧的气泵相连通，所述通气管上设置出气孔，所述出气孔的出气短向上，池体内设置有气泡打散装置。其提高了反应速度。但是这样的结构中，气体在接触池内留存的时间主要由接触池内水的高度决定，而接触池的深度一般来说高度并不会很高，这样容易出现等离子气体在接触池内留存的时间较短，即使气体被打散后，也容易出现反应不完全的现象。
技术实现要素：
本实用新型的目的是提供一种强氧化剂接触池，在从池体底部通入气体时，气体在接触池内留存的时间相对更长，反应更为完全。
本实用新型的上述目的是通过以下技术方案得以实现的：一种强氧化剂接触池，包括池体和设置在池体底部的通气管，通气管的一端位于池体外侧，且通气管位于池体外侧的一端上安装有气泵，所述的池体内固定安装有至少两组阻隔板，每组阻隔板中至少包含一块阻隔板，其中一组阻隔板固定连接在池体的一侧，另一组阻隔板固定连接在池体的另一侧，阻隔板的底面为斜面，且阻隔板底面靠近其所连接池体的一端为斜面的最低端，两组阻隔板在水平面上的投影之和大于池体的横截面。
通过采用上述技术方案，在池体底端上通入气体后，气泡上浮。在气泡上浮至与阻隔板底面贴合的位置时，因为阻隔板的底面呈斜面，因而朝向阻隔板底面较高的一端移动。在气泡移动至阻隔板底面较高的一端时，气泡脱离该阻隔板底面继续上浮。因为两组阻隔板在水平面上的投影之和大于池体的横截面，即两组阻隔板之间存在部分重叠的位置，在气泡上浮后，气泡最终与该阻隔板上侧相邻的阻隔板底面贴合，并继续沿着阻隔板的底面移动。其有效的增加了气泡在池体内留存的时间，使气体能够更为充分与池体内的水分反应，提高了反应效率。
本实用新型进一步设置为：所述的阻隔板底面较高的一边连接有网孔板，网孔板远离其所连接阻隔板的另一端与池体连接，网孔板的长度等于网孔板与阻隔板连接的侧边长度。
通过采用上述技术方案，通过网孔板，将阻隔板底面较高一端与池体之间连接，且通过网孔板上的孔，在较大的气泡经过网孔板时，会被打散成为较小的气泡，使气体与池体内的液体接触面更大，提高了反应效率，不易出现反应不完全的现象。
本实用新型进一步设置为：所述的阻隔板上穿设有竖直的转动轴，且转动轴至少穿过一组阻隔板，转动轴由电机驱动，转动轴上安装有搅拌桨叶。
通过采用上述技术方案，在转动轴转动的过程中，搅拌桨叶搅动池体内的液体。因为在气体与液体反应的过程中，被阻隔板分隔开来，各个部分的液体容易出现反应不均匀的现象。搅拌桨叶能够带动液体一并转动，从而使池体内的水分被搅拌均匀，反应更为均匀。
本实用新型进一步设置为：所述的一根转动轴上安装的搅拌桨叶数量至少为两个，且在上下相邻的两个阻隔板以及最下侧的阻隔板和池体底面之间最少设置有一个搅拌桨叶。
通过采用上述技术方案，增加了搅拌桨叶的数量，能够很好的进行搅拌，使池体内的水分被搅拌均匀，反应更为均匀。
本实用新型进一步设置为：所述的一组阻隔板上穿设有至少两根转动轴，转动轴均位于两组阻隔板在水平面上投影重合的位置。
通过采用上述技术方案，设置有多根搅拌轴，能够更好的进行搅拌，使池体内的水分被搅拌均匀，能够充分进行反应。
本实用新型进一步设置为：所述的一组阻隔板上穿设的转动轴转动方向相同。
通过采用上述技术方案，各个搅拌轴因为转动方向相同，从而使各个搅拌轴所带动的水流方向冲突，能够起到更好的搅拌效果，使池体内的水分被搅拌均匀，能够充分进行反应。
本实用新型进一步设置为：所述的阻隔板的上表面上固定设置有加强条。
通过采用上述技术方案，加强条有效的增加了阻隔板的强度，使其不易被损坏。
本实用新型进一步设置为：所述的加强条的横截面呈劣弧弓形。
通过采用上述技术方案，在池体内的水流被搅拌轴搅动的过程中，加强条所受到的阻力小，不易被损坏，提高了加强条的使用寿命。
综上所述，本实用新型的有益技术效果为：
1、能够使通入池体内的气体更为充分与池体内的水分反应，提高了反应效率；
2、通过搅拌桨叶能够带动池体内的液体一并转动，从而使池体内的水分被搅拌均匀，反应更为均匀。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是隐藏部分池体和部分阻隔板后的结构示意图。
附图标记：1、池体；11、通气管；12、气泵；2、阻隔板；21、网孔板；3、转动轴；31、搅拌桨叶；4、加强条。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
如图1所示，一种强氧化剂接触池，包括方形的池体1，在池体1侧面的底端上穿设有通气管11，通气管11位于池体1外侧的一端上安装有气泵12，通气管11的另一端位于池体1内。
如图1和图2所示，在池体1内固定安装有两组阻隔板2。每组阻隔板2均设置有两块。在池体1中宽所在的两侧侧面上各安装有一组阻隔板2。阻隔板2为矩形板，阻隔板2的顶面水平设置，其底面倾斜设置。阻隔板2底面与池体1连接的一边为阻隔板2底面中高度最低的一边，且长度与水槽的宽度相等，阻隔板2上表面垂直于水槽宽度的一边长度大于水槽长度的一半。在阻隔板2远离其所连接池体1侧面的一边上固定安装有网孔板21，网孔板21的宽度等于阻隔板2的宽度，且网孔板21与阻隔板2的上表面位于同一平面内。网孔板21的另一边与池体1侧壁固定连接在一起。各个阻隔板2之间的间距均相等，且依次交错设置在池体1内。在较大的气泡经过网孔板21时，会被打散成为较小的气泡，使气体与池体1内的液体接触面更大，提高了反应效率，不易出现反应不完全的现象。
如图1和图2所示，在阻隔板2上穿设有两根竖直的转动轴3，两根转动轴3所在的平面经过池体1较长的侧边中点。转动轴3同时穿过四块阻隔板2，在转动轴3上安装有四个搅拌桨叶31，且在两块相邻的阻隔板2之间以及最下侧的阻隔板2和池体1底面之间均设置有一个搅拌桨叶31。转动轴3由电机驱动转动，且转动的方向相同。因为在气体与液体反应的过程中，被阻隔板2分隔开来，各个部分的液体容易出现反应不均匀的现象。搅拌桨叶31能够带动液体一并转动，对池体1内的水分进行搅拌。两个搅拌轴因为转动方向相同，能够起到更好的搅拌效果，使池体1内的水分被搅拌均匀，能够充分进行反应。
如图2所示，在阻隔板2的上表面上凸出形成有加强条4，加强条4设置有至少两根，各个加强条4相互平行，相邻两个加强条4之间的间距相等。加强条4的横截面呈劣弧弓形。加强条4有效的增加了阻隔板2的强度，且在池体1内的水流被搅拌轴搅动的过程中，加强条4所受到的阻力小，不易被损坏，提高了加强条4的使用寿命。
在向池体1底端通入气体后，气泡上浮。在气泡上浮至与阻隔板2底面贴合的位置时，因为阻隔板2的底面呈斜面，因而朝向阻隔板2底面较高的一端移动。在气泡移动至阻隔板2底面较高的一端时，气泡穿过网孔板21继续上浮。因为两组阻隔板2在水平面上的投影之和大于池体1的横截面，即两组阻隔板2之间存在部分重叠的位置，在气泡上浮后，气泡最终与该阻隔板2上侧相邻的阻隔板2底面贴合，并继续沿着阻隔板2的底面移动。其有效的增加了气泡在池体1内留存的时间，使气体能够更为充分与池体1内的水分反应，提高了反应效率。
本具体实施方式的实施例均为本实用新型的较佳实施例，并非依此限制本实用新型的保护范围，故：凡依本实用新型的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本实用新型的保护范围之内。
1.一种强氧化剂接触池，包括池体(1)和设置在池体(1)底部的通气管(11)，通气管(11)的一端位于池体(1)外侧，且通气管(11)位于池体(1)外侧的一端上安装有气泵(12)，其特征在于：所述的池体(1)内固定安装有至少两组阻隔板(2)，每组阻隔板(2)中至少包含一块阻隔板(2)，其中一组阻隔板(2)固定连接在池体(1)的一侧，另一组阻隔板(2)固定连接在池体(1)的另一侧，阻隔板(2)的底面为斜面，且阻隔板(2)底面靠近其所连接池体(1)的一端为斜面的最低端，两组阻隔板(2)在水平面上的投影之和大于池体(1)的横截面。
2.根据权利要求1所述的一种强氧化剂接触池，其特征在于：所述的阻隔板(2)底面较高的一边连接有网孔板(21)，网孔板(21)远离其所连接阻隔板(2)的另一端与池体(1)连接，网孔板(21)的长度等于网孔板(21)与阻隔板(2)连接的侧边长度。
3.根据权利要求1所述的一种强氧化剂接触池，其特征在于：所述的阻隔板(2)上穿设有竖直的转动轴(3)，且转动轴(3)至少穿过一组阻隔板(2)，转动轴(3)由电机驱动，转动轴(3)上安装有搅拌桨叶(31)。
4.根据权利要求3所述的一种强氧化剂接触池，其特征在于：所述的一根转动轴(3)上安装的搅拌桨叶(31)数量至少为两个，且在上下相邻的两个阻隔板(2)以及最下侧的阻隔板(2)和池体(1)底面之间最少设置有一个搅拌桨叶(31)。
5.根据权利要求4所述的一种强氧化剂接触池，其特征在于：所述的一组阻隔板(2)上穿设有至少两根转动轴(3)，转动轴(3)均位于两组阻隔板(2)在水平面上投影重合的位置。
6.根据权利要求5所述的一种强氧化剂接触池，其特征在于：所述的一组阻隔板(2)上穿设的转动轴(3)转动方向相同。
7.根据权利要求1所述的一种强氧化剂接触池，其特征在于：所述的阻隔板(2)的上表面上固定设置有加强条(4)。
8.根据权利要求7所述的一种强氧化剂接触池，其特征在于：所述的加强条(4)的横截面呈劣弧弓形。
技术总结